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参考书籍：《Memory Systems - Cache, DRAM, Disk》     

目录

以提升吞吐量为目标的接口变化

Rambus DRAM（RDRAM，Concurrent RDRAM，Direct RDRAM）

        RDRAM

        Concurrent RDRAM

        Direct RDRAM

DDR DRAM

以降低延时为目标的架构变化

总结

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以提升吞吐量为目标的接口变化

Rambus DRAM（RDRAM，Concurrent RDRAM，Direct RDRAM）

        RDRAM

        以上章节描述的都是以提升吞吐量为目标的架构变化，本节的Rambus DRAM和下节的DDR DRAM则是通过接口变化来提升吞吐量。Rambus DRAM（RDRAM）和传统的主流DRAM都不太一样。它使用的是比传统设计窄得多的总线，并且至少在其刚诞生时，RDRAM的总线没有区分地址、控制、数据、片选信号。取而代之的是一组混合的总线：地址、控制、数据、片选信号都在一组走线上传输，只是传输的时机不同。它的总线宽度为1字节，速率为250MHz，使用时钟的双沿传输数据，从而使得理论带宽为500MB/s。总线上的传输会使用不同的请求/响应协议，这种传输的包类似于网络的请求/响应：首先发送一个包括所有地址（含行地址和列地址）的地址/控制包，然后传输数据包。不同的传输需要使用不同的时钟周期，具体取决于传输的类型、数据在颗粒内部的位置、每个channel的颗粒数量等。下图展示了一个典型的不确定延时的读请求。  

        Concurrent RDRAM

        由于RDRAM为单总线设计，并且未将多个功能分离，所以在一段时间内只能有一个传输请求，这限制了总线的并发性（指同时做多个事情的能力）。也是由于这个限制，RDRAM的原型设计没有很好地适配当时主流的PC市场，之后在20时机90年代中期，其接口被重新设计以支持更高的并发性，新接口称为Concurrent RDRAM。在该接口设计中，其的总线被拆分成地址段、控制段、数据段，与JEDEC式的DRAM结构类似。总线的数据段宽度仍然为1字节，但在此基础上添加了1位地址段和1位控制段。通过三段功能分离的总线，可以在总线上同时执行三个单独的操作。这样的分离的专用设计安排简化了事务调度，相应地提高了RDRAM的性能。注意到在这个时候，Rambus单个命令会使用4个时钟周期，这个时间被称为octcycle。Concurrent RDRAM在一个快速时钟的两个边沿上都会发送数据，同时使用一个数据和地址复用的、宽度为1字节的数据总线。下图为读操作的时序图： 

        Direct RDRAM

        由于1bit的地址位宽过于狭窄，Concurrent RDRAM设计的少数局限性之一是数据总线有时会携带一个简短的地址包，不过这个限制在被称为Direct RDRAM的最新设计中去除了。Direct  RDRAM继承在Concurrent RDRAM中划分总线的方式，并将数据段宽度增加到2字节，将地址段宽度增加到5位，将控制段增加到3位。像JEDEC式架构一样，这些段保持独立和专用，并且地址段和控制段的宽度已经足够，不需要数据段再发送除数据之外的其他信号，这样也使得数据吞吐量增加了。在后续的发展中，总线的工作速率也逐渐提升，后面超过了原始设计的两倍以上（500MHz的总线频率）。Direct RDRAM中的每个半行缓冲器会在相邻的bank之间共享，这意味着相邻bank不能被同时激活。这种架构与每个bank单独设计缓冲器的架构相比，会导致行缓冲器失去命中的概率上升，但是同时也会降低die面积。下图为读操作的时序图： 

DDR DRAM

        双倍数据率(Double data rate, DDR) SDRAM是现代JEDEC架构式DRAM的第一代设计。DDR通过在时钟的双边沿（升沿和下降沿）传输数据以达到相对于单边沿SDRAM的双倍速率带宽。DDR SDRAM在其他特性上与SDRAM都类似，使用相同的信号技术，使用相同的接口规范，以及相同的DIMM扇出方式。然而DDR SDRAM内部向存储阵列传输数据时，其读写位宽是SDRAM的两倍。下图为DDR DRAM的读操作时序。

以降低延时为目标的架构变化

        下篇详细介绍。 

总结

        下篇详细介绍。